[发明专利]一种离子注入阻挡层的制作方法有效
| 申请号： | 201210136017.0 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683184A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种离子注入阻挡层的制作方法。本发明提出一种离子注入阻挡层的制作方法，通过采用非晶态碳层作为离子注入工艺的阻挡层，不仅有效的起到阻挡作用，且能干净的去除，从而避免由于阻挡层去除不干净引进的工艺缺陷，进而有效提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 阻挡 制作方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一衬底结构的上表面上沉积非晶态碳层后，继续沉积硬掩膜层覆盖所述非晶态碳层的上表面；步骤S2：采用光刻工艺，形成一部分覆盖所述硬掩膜层上表面的光阻，并以该光阻为掩膜刻蚀所述硬掩膜层至所述非晶态碳层后，去除所述光阻；步骤S3：以剩余硬掩膜层为掩膜刻蚀所述非晶态碳层至所述衬底结构后，采用湿法刻蚀工艺去除所述剩余硬掩膜层；步骤S4：以剩余非晶态碳层为阻挡层，对所述衬底结构进行离子注入工艺形成源漏区后，采用干法刻蚀工艺去除所述剩余非晶态碳层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210136017.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
