[发明专利]一种离子注入阻挡层的制作方法有效
| 申请号： | 201210136017.0 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683184A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 阻挡 制作方法 | ||
1.一种离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在一衬底结构的上表面上沉积非晶态碳层后，继续沉积硬掩膜层覆盖所述非晶态碳层的上表面；
步骤S2：采用光刻工艺，形成一部分覆盖所述硬掩膜层上表面的光阻，并以该光阻为掩膜刻蚀所述硬掩膜层至所述非晶态碳层后，去除所述光阻；
步骤S3：以剩余硬掩膜层为掩膜刻蚀所述非晶态碳层至所述衬底结构后，采用湿法刻蚀工艺去除所述剩余硬掩膜层；
步骤S4：以剩余非晶态碳层为阻挡层，对所述衬底结构进行离子注入工艺形成源漏区后，采用干法刻蚀工艺去除所述剩余非晶态碳层。
2.根据权利要求1所述的离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，所述衬底结构为制备有浅沟隔离槽和薄氧化层的硅衬底，所述浅沟隔离槽部分嵌入所述硅衬底中，所述薄氧化层覆盖所述衬底暴露的上表面。
3.根据权利要求2所述的离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，所述非晶态碳层覆盖所述浅沟隔离槽和所述薄氧化层的上表面。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，所述光刻工艺包括：沉积底部抗反射层覆盖所述硬掩膜层的上表面，旋涂光刻胶覆盖所述底部抗反射层的上表面，曝光、显影后，去除多余的光刻胶和底部抗反射层，形成所述光阻。
5.根据权利要求4所述的离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，采用氧气等离子进行干法刻蚀工艺去除所述非晶态碳层。
6.根据权利要求5所述的离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，所述非晶态碳层的厚度为500-2000A。
7.根据权利要求6所述的离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜的厚度为100-300A。
8.根据权利要求7所述的离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜的材质为SiON。
9.根据权利要求8所述的离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，采用热磷酸溶液进行步骤S3中的湿法刻蚀工艺。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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