[发明专利]一种改善恢复软度特性的二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210134774.4 | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102637727A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王明辉;贾文庆;王平 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善恢复软度特性的二极管及其制造方法，所述二极管包括第一本征外延层、高掺杂浓度外延层、第二本征外延层和低掺杂浓度外延层的四层复合工艺结构，从而在二极管工作在反向恢复的过程时，PN结经过少数载流子存储时间后，相比低浓度掺杂外延区，高浓度掺杂外延层能够提供更多用于复合的载流子，使得复合时间相应增加，电流、电压变化较为平缓，从而获得更大的复合时间和存储时间的比值，进而提高了二极管的软度因子。进一步的，采用改进外延工艺改善恢复软度特性的二极管，在保证反向恢复时间不改变的前提下，软度因子能够由0.5提高到1.2，从而更加适合应用于快速整流电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 恢复 特性 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种改善恢复软度特性的二极管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底为第一类型；第一本征外延层，位于所述半导体衬底上；高掺杂浓度外延层，位于所述第一本征外延层上；第二本征外延层，位于所述高掺杂浓度外延层上；低掺杂浓度外延层，位于所述第二本征外延层上；第二类型掺杂区，形成于所述低掺杂浓度外延层上；以及第二类型重掺杂区，形成于所述第二类型掺杂区。
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