[发明专利]一种改善恢复软度特性的二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种改善恢复软度特性的二极管，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底为第一类型；

第一本征外延层，位于所述半导体衬底上；

高掺杂浓度外延层，位于所述第一本征外延层上；

第二本征外延层，位于所述高掺杂浓度外延层上；

低掺杂浓度外延层，位于所述第二本征外延层上；

第二类型掺杂区，形成于所述低掺杂浓度外延层上；以及

第二类型重掺杂区，形成于所述第二类型掺杂区。

2.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，所述第一本征外延层的厚度为2μm～5μm。

3.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，所述高掺杂浓度外延层的厚度为2μm～20μm，所述高掺杂浓度外延层的电阻率为1Ω·cm～10Ω·cm，所述掺杂浓度为4.85E15cm^-3～4.41E14cm^-3，所述高掺杂浓度外延层为第一类型。

4.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，所述第二本征外延层的厚度为1μm～3μm。

5.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，所述低掺杂浓度外延层的厚度为20μm～150μm，所述低掺杂浓度外延层的电阻率为10Ω·cm～80Ω·cm，所述低掺杂浓度外延层的掺杂浓度4.41E14cm^-3～5.41E13cm^-3，所述高掺杂浓度外延层为第一类型。

6.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，第二类型掺杂区的结深为5μm～15μm。

7.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，第二类型重掺杂区的结深为1μm～3μm。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，所述第一类型为N型，所述第二类型为P型。

9.一种改善恢复软度特性的二极管的制造方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底为第一类型；

在所述半导体衬底上形成第一本征外延层；

在所述第一本征外延层上形成高掺杂浓度外延层；

在所述高掺杂浓度外延层上形成第二本征外延层；

在所述第二本征外延层上形成低掺杂浓度外延层；

在所述低掺杂浓度外延层中形成第二类型掺杂区；以及

在所述第二类型掺杂区中形成第二类型重掺杂区。

10.如权利要求9所述的改善恢复软度特性的二极管的制造方法，其特征在于，采用外延生长法形成所述第一本征外延层、高掺杂浓度外延层、第二本征外延层和低掺杂浓度外延层，生长温度为1000℃～1150℃。

11.如权利要求9所述的改善恢复软度特性的二极管的制造方法，其特征在于，所述第一本征外延层的厚度为2μm～5μm。

12.如权利要求9所述的改善恢复软度特性的二极管的制造方法，其特征在于，所述高掺杂浓度外延层的厚度为2μm～20μm，所述高掺杂浓度外延层的电阻率为1Ω·cm～10Ω·cm，所述掺杂浓度为4.85E15cm^-3～4.41E14cm^-3，所述高掺杂浓度外延层为第一类型。

13.如权利要求9所述的改善恢复软度特性的二极管的制造方法，其特征在于，所述第二本征外延层的厚度为1μm～3μm。

14.如权利要求9所述的改善恢复软度特性的二极管的制造方法，其特征在于，所述低掺杂浓度外延层的厚度为20μm～150μm，所述低掺杂浓度外延层的电阻率为10Ω·cm～80Ω·cm，所述低掺杂浓度外延层的掺杂浓度4.41E14cm^-3～5.41E13cm^-3，所述高掺杂浓度外延层为第一类型。

15.如权利要求9所述的改善恢复软度特性的二极管的制造方法，其特征在于，所述第二类型掺杂区的结深为5μm～15μm。

16.如权利要求9所述的改善恢复软度特性的二极管的制造方法，其特征在于，所述第二类型重掺杂区的结深为1μm～3μm。

17.如权利要求9至16中任意一项所述的改善恢复软度特性的二极管的制造方法，其特征在于，所述第一类型为N型，所述第二类型为P型。