[发明专利]相变存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201210133616.7 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103378288A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有介质层，以及贯穿所述衬底和介质层的底部电极；形成粘附层，所述粘附层覆盖所述介质层，并暴露出所述底部电极；沉积相变材料，所述相变材料覆盖所述粘附层以及底部电极；图形化所述相变材料，形成相变材料层，所述相变材料层包括与底部电极连接的相变电阻层以及与底部电极不连接的衬垫；对形成有相变材料层的衬底进行清洗。本发明相变存储器的形成方法通过在衬底上介质层与相变材料形成的衬垫之间形成粘附层来提高介质层与衬垫之间的附着力，避免衬垫从介质层上剥离而导致的相变存储器的位线失效，提高了所形成相变存储器的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有介质层，以及贯穿所述衬底和介质层的底部电极；形成粘附层，所述粘附层覆盖所述介质层，并暴露出所述底部电极；沉积相变材料，所述相变材料覆盖所述粘附层以及底部电极；图形化所述相变材料，形成相变材料层，所述相变材料层包括与底部电极连接的相变电阻层以及与底部电极不连接的衬垫；对形成有相变材料层的衬底进行清洗。
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