[发明专利]相变存储器的形成方法

权利要求书

1.一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有介质层，以及贯穿所述衬底和介质层的底部电极；

形成粘附层，所述粘附层覆盖所述介质层，并暴露出所述底部电极；

沉积相变材料，所述相变材料覆盖所述粘附层以及底部电极；

图形化所述相变材料，形成相变材料层，所述相变材料层包括与底部电极连接的相变电阻层以及与底部电极不连接的衬垫；

对形成有相变材料层的衬底进行清洗。

2.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述底部电极的材质为多晶硅或钨。

3.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述介质层的材质为氧化硅。

4.如权利要求3所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，以正硅酸乙酯为硅源，通过等离子增强气相沉积工艺形成所述介质层。

5.如权利要求3所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述粘附层的材质为氮化钛。

6.如权利要求3所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述粘附层的厚度在30~70埃范围内。

7.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，在形成粘附层前，还包括：对所述底部电极进行回刻，使所述底部电极的表面低于所述介质层的上表面。

8.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，形成粘附层，所述粘附层覆盖所述介质层，并暴露出所述底部电极包括：在所述介质层上沉积覆盖所述介质层和底部电极表面的粘附材料；在所述粘附材料上沉积第一光刻胶，图形化所述第一光刻胶，形成包含第一光刻胶图形的第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层为掩模，对所述粘附材料进行刻蚀，形成粘附层；去除所述第一光刻胶层。

9.如权利要求8所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，以所述第一光刻胶层为掩模，通过干法刻蚀工艺对所述粘附材料进行刻蚀，形成粘附层。

10.如权利要求9所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，通过灰化工艺去除所述第一光刻胶层。

11.如权利要求9所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，在去除所述第一光刻胶层后，还包括：对形成有所述粘附层的衬底进行清洗。

12.如权利要求11所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，通过氢氟酸溶液对形成有所述粘附层的衬底进行清洗，所述氢氟酸溶液中水与氢氟酸的体积比在200~1000:1范围内，清洗时间在30~120秒范围内。

13.如权利要求8所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，以所述第一光刻胶层为掩模，通过湿法刻蚀工艺对所述粘附材料进行刻蚀，形成粘附层。

14.如权利要求13所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀溶液为SC1溶液，所述SC1溶液中NH₄OH、H₂O₂与H₂O的体积比在1:1~2:50~200范围内，所述湿法刻蚀的温度在25~60摄氏度范围内，时间在1~3分钟范围内。

15.如权利要求13所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀溶液为氟化氢溶液，所述氟化氢溶液中水与氟化氢的体积比在100~1000:1范围内，所述湿法刻蚀的温度在23~45摄氏度范围内，时间在0.5~3分钟范围内。

16.如权利要求9或13所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，通过湿法清洗去除所述第一光刻胶。

17.如权利要求16所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗的清洗溶液为N-甲基吡咯烷酮溶液，所述湿法清洗的温度在60~80摄氏度范围内，时间在1~10分钟范围内。

18.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述相变材料的材质为锗锑碲。

19.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，在沉积相变材料后，还包括：在所述相变材料上沉积保护层。

20.如权利要求19所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述保护层的材质为氮化钛。