[发明专利]栅极焊盘和源极焊盘的形成方法有效
| 申请号： | 201210132712.X | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103377954A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 闵炼锋 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C23C14/22;C23C14/14 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种栅极焊盘和源极焊盘的形成方法，包括物理气相淀积在晶圆上形成栅极焊盘和源极焊盘的铜铝合金层的步骤，所述淀积步骤的淀积温度维持在250±10摄氏度。上述栅极焊盘和源极焊盘的形成方法形成的栅极和源极焊盘之间颜色差异较大，因此符合键合机台的识别要求，能够降低返工率，且操作简单、采用原有的生产设备就能够实施，无需添置新设备，不会增加购置新设备的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 源极焊盘 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极焊盘和源极焊盘的形成方法，包括物理气相淀积在晶圆上形成栅极焊盘和源极焊盘的铜铝合金层的步骤，其特征在于，所述淀积步骤的淀积温度维持在250±10摄氏度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
