[发明专利]栅极焊盘和源极焊盘的形成方法有效
申请号: | 201210132712.X | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN103377954A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 闵炼锋 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C23C14/22;C23C14/14 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极 源极焊盘 形成 方法 | ||
1.一种栅极焊盘和源极焊盘的形成方法,包括物理气相淀积在晶圆上形成栅极焊盘和源极焊盘的铜铝合金层的步骤,其特征在于,所述淀积步骤的淀积温度维持在250±10摄氏度。
2.根据权利要求1所述的栅极焊盘和源极焊盘的形成方法,其特征在于,所述物理气相淀积在晶圆上形成栅极焊盘和源极焊盘的铜铝合金层的步骤,具体是在第二腔体中进行,且该步骤之后还包括下列步骤:
监测所述第二腔体内的温度是否超过第一温度阈值,直至所述铜铝合金层淀积完毕;一旦超过第一温度阈值则中断所述铜铝合金层的淀积,并将所述晶圆移出所述第二腔体进行降温,同时对所述第二腔体进行冷却处理;
监测所述第二腔体内的温度是否低于第二温度阈值,一旦低于第二温度阈值则将所述晶圆移回所述第二腔体继续进行淀积。
3.根据权利要求2所述的栅极焊盘和源极焊盘的形成方法,其特征在于,所述第一温度阈值为255摄氏度。
4.根据权利要求1所述的栅极焊盘和源极焊盘的形成方法,其特征在于,所述物理气相淀积在晶圆上形成栅极焊盘和源极焊盘的铜铝合金层的步骤包括在第二腔体中淀积第一厚度的铜铝合金层和在第二腔体中淀积第二厚度的铜铝合金层的两个步骤,且所述两个步骤之间还包括将晶圆移出所述第二腔体进行降温,同时对所述第二腔体进行冷却处理,直至所述第二腔体内的温度低于第二温度阈值的步骤。
5.根据权利要求4所述的栅极焊盘和源极焊盘的形成方法,其特征在于,所述第一厚度为22千埃和第二厚度均为22千埃。
6.根据权利要求2或4所述的栅极焊盘和源极焊盘的形成方法,其特征在于,所述第二温度阈值是245摄氏度。
7.根据权利要求2或4所述的栅极焊盘和源极焊盘的形成方法,其特征在于,所述物理气相淀积在晶圆上形成栅极焊盘和源极焊盘的铜铝合金层的步骤之前,还包括在第一腔体中通过物理气相淀积工艺在所述晶圆上淀积钛金属层和氮化钛层的步骤。
8.根据权利要求7所述的栅极焊盘和源极焊盘的形成方法,其特征在于,所述在第一腔体中通过物理气相淀积工艺淀积钛金属层和氮化钛层的步骤之前,还包括在脱气腔体中烘烤所述晶圆的步骤。
9.根据权利要求8所述的栅极焊盘和源极焊盘的形成方法,其特征在于,所述在脱气腔体中烘烤所述晶圆的步骤中烘烤温度为150±10摄氏度。
10.根据权利要求7所述的栅极焊盘和源极焊盘的形成方法,其特征在于,所述淀积钛金属层和氮化钛层的步骤是在常温下进行淀积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造