[发明专利]金属硅化物层的制造方法

摘要

本发明公开一种金属硅化物层的制造方法，应用于半导体元件制作工艺中。此方法是先提供硅基底，其中硅基底的表面上已形成有图案化叠合结构，而图案化叠合结构包含依序形成在硅基底上的硅层与第一覆盖层。然后，形成第二覆盖层覆盖未被图案化叠合结构覆盖的硅基底的部分表面，其中第二覆盖层与第一覆盖层是选用不同材料。接着，去除第一覆盖层以暴露出硅层，再在硅层上形成第一金属硅化物层。之后，去除第二覆盖层，以暴露出硅基底的部分表面，再在暴露出的表面上形成第二金属硅化物层。

主权项

一种金属硅化物层的制造方法，应用于一半导体元件制作工艺中，其方法包含下列步骤：提供一硅基底，其中该硅基底的一表面上已形成有一图案化叠合结构，该叠合结构包括依序形成在该硅基底上的一硅层与一第一覆盖层；形成一第二覆盖层覆盖未被该图案化叠合结构覆盖的该硅基底的部分该表面，其中该第二覆盖层与该第一覆盖层为不同材料；去除该第一覆盖层以暴露出该硅层；在该硅层上形成一第一金属硅化物层；去除该第二覆盖层，以暴露出部分的该表面；以及在暴露出的部分该表面上形成一第二金属硅化物层。