[发明专利]金属硅化物层的制造方法

权利要求书

1.一种金属硅化物层的制造方法，应用于一半导体元件制作工艺中，其方法包含下列步骤：

提供一硅基底，其中该硅基底的一表面上已形成有一图案化叠合结构，该叠合结构包括依序形成在该硅基底上的一硅层与一第一覆盖层；

形成一第二覆盖层覆盖未被该图案化叠合结构覆盖的该硅基底的部分该表面，其中该第二覆盖层与该第一覆盖层为不同材料；

去除该第一覆盖层以暴露出该硅层；

在该硅层上形成一第一金属硅化物层；

去除该第二覆盖层，以暴露出部分的该表面；以及

在暴露出的部分该表面上形成一第二金属硅化物层。

2.如权利要求1所述的金属硅化物层的制造方法，其中在形成该图案化叠合结构之前，还包含形成一第一介电层覆盖该硅基底的该表面。

3.如权利要求2所述的金属硅化物层的制造方法，其中在去除该第一覆盖层前，还包含：

形成一第二介电层覆盖该第一介电层与该图案化叠合结构；以及

回蚀部分的该第二介电层与该第一介电层，以于该图案化叠合结构两侧形成一侧壁，并露出该硅基底的部分该表面。

4.如权利要求2所述的金属硅化物层的制造方法，其中形成该第一介电层的方法包括热氧化法或化学气相沉积法。

5.如权利要求3所述的金属硅化物层的制造方法，其中该第二介电层的材质包括二氧化硅。

6.如权利要求1所述的金属硅化物层的制造方法，其中该第一覆盖层的材质包括硅氮化物。

7.如权利要求1所述的金属硅化物层的制造方法，其中在移除该第二覆盖层之前还包含：

在该图案化叠合结构两侧的该硅基底内形成一掺杂区；以及

对该掺杂区进行一高温退火处理制作工艺。

8.如权利要求7所述的金属硅化物层的制造方法，还包括在该高温退火处理制作工艺中通入氧气，以热氧化法在该掺杂区表面上形成该第二覆盖层。

9.如权利要求1所述的金属硅化物层的制造方法，其中形成该第一金属硅化物层的方法包含于该硅层上形成一第一金属层，以使该第一金属层与该硅层反应生成该第一金属硅化物层。

10.如权利要求9所述的金属硅化物层的制造方法，其中在形成该第一金属层之后还包含对该第一金属层进行两次退火制作工艺，以形成该第一金属硅化物层。

11.如权利要求1所述的金属硅化物层的制造方法，其中形成该第二金属硅化物层的方法包含于该硅基底的该表面上形成一第二金属层，以使该第二金属层与该硅基底反应生成该第二金属硅化物层。

12.如权利要求11所述的金属硅化物层的制造方法，其中在形成该第一金属层之后还包含对该第二金属层进行两次退火制作工艺。

13.如权利要求1所述的金属硅化物层的制造方法，其中该第二金属硅化物层的厚度与该第一金属硅化物层的厚度不同。

14.如权利要求13所述的金属硅化物层的制造方法，其中该第二金属硅化物层的厚度小于该第一金属硅化物层的厚度。