[发明专利]用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的直通硅通孔处理技术有效
| 申请号： | 201210129637.1 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102760769A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种形成在半导体衬底上的场效应管，栅极、源极和漏极区形成在半导体衬底上，所述的栅极区具有一个横向栅极通道。多个空间分离的沟槽都带有一个导电插头，并与所述的栅极、源极和漏极区电连接，所述的沟槽从所述的半导体衬底表面开始，延伸到可控的深度。沟槽接头将源极区和本体区短接。源极接头与所述的源极区电连接，漏极接头与所述的漏极区电连接，所述的源极和漏极接头设置在所述的栅极通道对边上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 直通 硅通孔 处理 技术 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于，该场效应晶体管包括：一个半导体衬底，在该衬底上形成带有栅极、源极和漏极区，所述的栅极区具有一个横向栅极通道；一个或多个带有导电插头的沟槽，导电插头与所述的栅极、源极和漏极区电连接，其中所述的一个或多个沟槽从所述的衬底背面延伸到可控的深度；一个与所述的源极区电连接的源极接头；一个与所述的漏极区电连接的漏极接头，所述的源极和漏极接头设置在所述的栅极通道的对边上；以及一个栅极接头。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体股份有限公司，未经万国半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210129637.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有跟靠补足条带的鞋
- 下一篇：一种车载换电电池箱的锁紧方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
