[发明专利]用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的直通硅通孔处理技术

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，该场效应晶体管包括：

一个半导体衬底，在该衬底上形成带有栅极、源极和漏极区，所述的栅极区具有一个横向栅极通道；

一个或多个带有导电插头的沟槽，导电插头与所述的栅极、源极和漏极区电连接，其中所述的一个或多个沟槽从所述的衬底背面延伸到可控的深度；

一个与所述的源极区电连接的源极接头；

一个与所述的漏极区电连接的漏极接头，所述的源极和漏极接头设置在所述的栅极通道的对边上；以及

一个栅极接头。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，其中一个或多个沟槽含有一个接触沟槽，将所述的源极区短接至所述的源极接头。

3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，其中一个或多个沟槽含有多个空间分离的沟槽。

4.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，其中所述的沟槽接头设置在所述的源极和漏极接头之间。

5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，其中所述的半导体衬底具有第一和第二对边，所述的栅极、源极和漏极区形成在所述的第一对边上，所述的一个或多个沟槽从所述的横向栅极通道开始延伸，穿过所述的衬底，在形成在所述的第二对边上的一个或多个开口中截止。

6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，其中所述的栅极、源极和漏极区还包括一个形成在所述的衬底上的层，该层的第一部分具有第一导电类型，第二部分具有与所述的第一导电类型相反的第二导电类型，所述的栅极通道包括所述的层。

7.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，其中所述的栅极、源极和漏极区还包括第一半导体层，形成在所述的衬底上，设置在所述的第一半导体层第二半导体层上方，所述的第一半导体层、第二半导体层以及所述的衬底具有第一导电类型，其中所述的第一半导体层的掺杂浓度高于所述的第二半导体层的掺杂类型。

8.如权利要求7所述的晶体管，其特征在于，其中所述的多个空间分离的沟槽从所述的衬底的所述的底面开始延伸，在所述的第一半导体层中截止。

9.如权利要求7所述的晶体管，其特征在于，其中所述的第二半导体层含有第一导电类型的第一部分，以及与第一导电类型相反的第二导电类型的第二部分，其中所述的源极区形成在所述的第一部分顶部，所述的漏极区形成在所述的第二部分顶部。

10.如权利要求9所述的晶体管，其特征在于，其中所述的沟槽接头将所述的源极区短接至所述的第一部分。

11.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，其中所述的一个或多个沟槽从所述的衬底所述的表面开始，延伸到所述的源极区。

12.如权利要求7所述的晶体管，其特征在于，其中所述的第一半导体层含有高掺杂浓度的第一部分以及低掺杂浓度的第二部分，其中肖特基接头形成在所述的第二区域和所述的导电插头的交叉处。

13.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，其中所述的栅极、源极和漏极区还包括一个形成在所述的衬底上的第一半导体层，所述的第一半导体层和所述的衬底具有第一导电类型，设置在所述的第一半导体层第二半导体层上方，所述的第二半导体层具有多个不同导电类型的区域，限定超级结结构与所述的栅极、源极和漏极区电连接。

14.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，其中所述的栅极、源极和漏极区还包括一个形成在所述的衬底上的第一半导体层，所述的第一半导体层和所述的衬底具有第一导电类型，设置在所述的第一半导体层第二半导体层上方，所述的第二半导体层具有多个不同导电类型的区域，所述的多个区域中的第一区设置在第二和第三区之间，其导电类型与所述的第一半导体层相同，与所述的第二和第三区相反。

15.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，其中所述的栅极、源极和漏极区还包括一个形成在所述的衬底上的第一半导体层，所述的半导体层和所述的衬底具有第一导电类型，设置在所述的第一半导体层第二半导体层上方，所述的第二半导体层具有多个不同导电类型的区域，所述的多个区域中的第一区设置在第二和第三区之间，其导电类型与所述的第一半导体层相同，与所述的第二和第三区相反，所述的第二区设置在所述的第一区和所述的第一半导体层之间。