[发明专利]碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201210128717.5 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102760768A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 渡边弘纪;宫原真一朗;杉本雅裕;高谷秀史;渡边行彦;副岛成雅;石川刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种SiC半导体器件包括：SiC衬底(1，2)，其包括第一或第二导电类型层(1)和第一导电类型漂移层(2)，并且包括具有偏移方向的主表面；沟槽(6)，其设置在所述漂移层上并且具有纵向方向；以及栅极电极(9)，其经由栅极绝缘膜(8)设置在所述沟槽中。所述沟槽的侧壁提供沟道形成表面。所述垂直半导体器件根据施加至所述栅极电极的栅极电压而使电流沿所述沟槽的所述沟道形成表面流动。所述SiC衬底的所述偏移方向垂直于所述沟槽的所述纵向方向。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，其具有包含沟槽栅极结构的垂直半导体元件，所述碳化硅半导体器件包括：碳化硅半导体衬底(1，2)，其包括第一或第二导电类型层(1)和在所述第一或第二导电类型层(1)上的漂移层(2)，其中所述漂移层(2)具有第一导电类型，并且所述碳化硅半导体衬底(1，2)包括具有偏移方向的主表面；沟槽(6)，其设置在所述漂移层(2)的表面上并且具有纵向方向；以及栅极电极(9)，其经由栅极绝缘膜(8)设置在所述沟槽(6)中，其中，所述沟槽(6)的侧壁提供沟道形成表面，其中，所述垂直半导体器件被配置为根据施加至所述栅极电极(9)的栅极电压而使电流沿着所述沟槽(6)的所述沟道形成表面流动，并且其中，所述碳化硅半导体衬底(1，2)的所述偏移方向垂直于所述沟槽(6)的所述纵向方向。
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