[发明专利]相变化存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210128336.7 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102956821B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 曹淳凯;沈明辉;刘世昌;杜友伦;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘晓飞;张龙哺 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种相变化存储器及其制备方法，特别是精细节距相变化随机存取存储器(phase change random access memory，PCRAM)设计以及其制备方法。在一实施例中，一相变化存储器(phase change memory，PCM)单元包括一间隔物，上述间隔物定义了一矩形的反应区以及一配置于上述反应区中的相变化材料层。上述相变化存储器单元还包括一保护层配置于锗锑碲(germanium antimony tellurium，GST)薄膜层之上，以及配置于上述被间隔物所定义的区域之内，且一盖层配置于上述保护层以及上述间隔物之上。本发明能够缩减相变化存储器单元的实际反应区域的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变化存储器单元，包括：一间隔物，定义一反应区；一停止层，沿着该间隔物的一外缘配置；一相变化材料层，配置于该反应区内；一保护层，配置于部分该相变化材料层之上以及配置于被该间隔物所定义的该反应区内；以及一盖层，配置于部分该相变化材料层、该保护层以及该间隔物之上并直接接触部分该相变化材料层的上表面、该保护层以及该间隔物，其中该盖层为SiN。
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