[发明专利]相变化存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种相变化存储器单元，包括：

一间隔物，定义一反应区；

一相变化材料层，配置于该反应区内；

一保护层，配置于该相变化材料层之上以及配置于被该间隔物所定义的该反应区内；以及

一盖层，配置于该保护层以及该间隔物之上。

2.如权利要求1所述的相变化存储器单元，还包括一电极，配置于该反应区的一末端之下。

3.如权利要求1所述的相变化存储器单元，还包括一停止层，沿着该间隔物的一外缘配置。

4.如权利要求1所述的相变化存储器单元，其中该间隔物包括SiN、SiO₂、以及SiON中至少一种，且该间隔物的厚度范围介于约

5.如权利要求1所述的相变化存储器单元，其中该保护层包括SiN、以及SiO₂中的一种，且该保护层的厚度范围介于约以及该盖层包括SiN，且该盖层的厚度范围介于约

6.一种相变化存储器装置的制备方法，其中该相变化存储器装置包括一层间介电层，该层间介电层具有电极配置于其相反两端，该相变化存储器装置的制备方法包括：

利用一硬掩膜定义在该层间介电层的一顶面上的一第一区域；

沿着该硬掩膜的一内缘以及该第一区域的一外缘制造一间隔物以定义一第二区域；

沉积一相变化材料层于该第二区域内；

沉积一保护层于该相变化材料层之上；

隔离该相变化材料层；以及

沉积一盖层于该装置之上。

7.如权利要求6所述的相变化存储器装置的制备方法，其中该定义包括：

沉积至少一膜层，包括该硬掩膜，于该层间介电层上；以及

蚀刻该硬掩膜以制造该第一区域，其中包括该硬掩膜的该至少一膜层包括该第一区域的一外边界。

8.如权利要求7所述的相变化存储器装置的制备方法，其中该沉积包括该硬掩膜的该至少一膜层的步骤包括：沉积至少一SiN层、一氧化层、以及一SiON层中的一种于该层间介电层之上，使得该硬掩膜层的总厚度范围介于约

9.如权利要求6所述的相变化存储器装置的制备方法，其中该隔离该相变化材料层的步骤包括：进行一化学机械抛光工艺于该装置的一顶面上，该方法还包括停止该化学机械抛光工艺于该硬掩膜的一指定层。

10.一种相变化存储器装置的制备方法，其中该相变化存储器装置包括一层间介电层，该层间介电层具有电极配置于其相反两端，该相变化存储器装置的制备方法包括：

利用一硬掩膜定义一第一矩形区域于该层间介电层的一顶面上，该定义包括：

沉积至少一膜层，包括该硬掩膜，于该层间介电层上；以及

蚀刻该硬掩膜以制造该第一矩形区域，其中包括该硬掩膜的该至少一膜层包括该第一矩形区域的一外边界；

沿着该硬掩膜的一内缘以及该第一矩形区域的一外缘制造一间隔物以定义一第二矩形区域，该制造包括；

沉积一间隔层；以及

蚀刻该间隔层一制造该间隔物；

沉积一相变化材料层于该第二矩形区域内；

沉积一保护层于该相变化材料层之上；

进行一化学机械抛光工艺于该装置的一顶面上，以隔离该相变化材料层，该方法还包括停止该化学机械抛光工艺于该硬掩膜的一指定层；以及

沉积一盖层于该装置之上。