[发明专利]基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统无效
| 申请号： | 201210126969.4 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102636471A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 曹暾;闫卫平 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116024*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统，该检测系统和结构是在衬底上先生长一层2μm的基于III-V族半导体材料的n型层，再生长一层反光层，然后生长一层基于III-V族半导体材料的有源层，最后生长一层200-300nm厚基于III-V族半导体材料的p型层；最后通过刻蚀工艺，在p型层刻蚀出光子晶体谐振腔图样。本发明能够通过产生的窄带发射光谱诱发荧光，提高了检测系统的灵敏度和分辨率。同时，利用光子晶体谐振腔的光子禁带特性，可以有效抑制激发光源的侧面辐射，滤除激发光背景噪声，提高系统信噪比和抗噪性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光子 晶体 谐振腔 led 激发 光源 微流控 芯片 荧光 检测 系统 | ||
【主权项】：
一种基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，基于光子晶体谐振腔LED激发光源是将光子晶体谐振腔集成于LED上的激发光源，其结构是在衬底上先生长一层2μm的基于III‑V族半导体材料的n型层，再生长一层反光层，然后生长一层基于III‑V族半导体材料的有源层，最后生长一层200‑300nm厚的基于III‑V族半导体材料的p型层；最后通过刻蚀工艺，在p型层刻蚀出光子晶体谐振腔图样。
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