[发明专利]基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统无效
| 申请号： | 201210126969.4 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102636471A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 曹暾;闫卫平 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116024*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 光子 晶体 谐振腔 led 激发 光源 微流控 芯片 荧光 检测 系统 | ||
1.一种基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，基于光子晶体谐振腔LED激发光源是将光子晶体谐振腔集成于LED上的激发光源，其结构是在衬底上先生长一层2μm的基于III-V族半导体材料的n型层，再生长一层反光层，然后生长一层基于III-V族半导体材料的有源层，最后生长一层200-300nm厚的基于III-V族半导体材料的p型层；最后通过刻蚀工艺，在p型层刻蚀出光子晶体谐振腔图样。
2.根据权利要求1所述的基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的III-V族半导体材料层是内部结构具有单向导电性的磷化镓、镓铝砷、砷化镓、氮化镓。
3.根据权利要求1所述的基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的光子晶体是矩形、方形、圆形、椭圆形；光子晶体孔宽度为20纳米至10微米，高度在60纳米至10厘米。
4.根据权利要求1所述的基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的有源层是n个周期的InGaN/GaN量子阱或量子点结构，其中n不小于4。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，反光层是金属层或分布式布拉格反射镜(DBR)。
6.根据权利要求1或2或3或4所述的基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，所述的衬底采用晶体材料、有机材料。
7.根据权利要求5所述的基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，金属层的金属是指Al、Ag、Au、Cu。
8.根据权利要求6所述的基于光子晶体谐振腔LED激发光源的微流控芯片荧光检测系统，其特征在于，晶体材料包括硅、砷化镓、磷化铟、蓝宝石。
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