[发明专利]半导体装置的操作方法有效
| 申请号： | 201210125459.5 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102760483B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 朴镇寿 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 郭放,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括多个存储器单元块的半导体装置的操作方法，包括以下步骤响应于编程命令来选择存储器单元块中的一个；执行预编程操作和预擦除操作，使得选中的存储器单元块中包括的存储器单元的阈值电压分布在第一正电压和第一负电压之间；向第一组位线提供编程许可电压并且向第二组位线提供编程禁止电压，其中第一组位线和第二组位线互不包括；以及向选中的耦接到存储器单元的字线提供正编程电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 操作方法 | ||
【主权项】：
一种包括多个存储器单元块的半导体装置的操作方法，包括以下步骤：响应于编程命令来选择存储器单元块中的一个；执行预编程操作和预擦除操作使得在选中的所述存储器单元块中包括的存储器单元的阈值电压分布在第一正电压和第一负电压之间；向第一组位线提供编程许可电压并且向第二组位线提供编程禁止电压，其中所述第一组位线和所述第二组位线互不包括；以及向耦接到存储器单元的选中的字线提供正编程电压，其中，所述预编程操作包括：升高来自选中的存储器单元块的存储器单元中的具有擦除状态的存储器单元的阈值电压，以及维持来自选中的所述存储器单元块的存储器单元中的具有编程状态的存储器单元的阈值电压。
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