[发明专利]半导体装置的操作方法

权利要求书

1.一种包括多个存储器单元块的半导体装置的操作方法，包括以下步骤：

响应于编程命令来选择存储器单元块中的一个；

执行预编程操作和预擦除操作使得在选中的所述存储器单元块中包括的存储器单元的阈值电压分布在第一正电压和第一负电压之间；

向第一组位线提供编程许可电压并且向第二组位线提供编程禁止电压，其中所述第一组位线和所述第二组位线互不包括；以及

向耦接到存储器单元的选中的字线提供正编程电压，

其中，所述预编程操作包括：升高来自选中的存储器单元块的存储器单元中的具有擦除状态的存储器单元的阈值电压，以及维持来自选中的所述存储器单元块的存储器单元中的具有编程状态的存储器单元的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述预编程操作包括以下步骤：

向选中的所述存储器单元块的位线提供所述编程许可电压；以及

向耦接到选中的所述存储器单元块的字线提供正预编程电压。

3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，执行所述预擦除操作以降低来自选中的所述存储器单元块的存储器单元中的具有编程状态的存储器单元的阈值电压，并且维持预编程的存储器单元的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述预擦除操作包括以下步骤：

向耦接到选中的所述存储器单元块的位线提供所述编程许可电压；以及

向耦接到选中的所述存储器单元块的字线提供负预擦除电压。

5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，当向选中的所述字线提供正编程电压时，将通过电压提供给剩余的字线。

6.根据权利要求1所述的操作方法，还包括在提供所述正编程电压之后，执行负擦除操作，使得除选中的所述存储器单元以外的存储器单元的阈值电压达到负目标电压。

7.根据权利要求6所述的操作方法，其中，所述负擦除操作包括：

向所述选中的字线提供负擦除电压，以及

向选中的所述存储器单元块中的除所述选中的字线以外的字线提供通过电压。

8.根据权利要求6所述的操作方法，还包括在执行所述负擦除操作之前，在耦接到所述第二组位线的串中生成沟道升压。

9.根据权利要求8所述的操作方法，其中，通过向耦接到选中的所述存储器单元块的字线提供正通过电压来生成所述沟道升压。

10.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述编程许可电压是接地电压。

11.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述编程禁止电压是电源电压。

12.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第一组位线耦接到选中的所述存储器单元，而所述第二组位线耦接到剩余的存储器单元。

13.一种包括已被执行编程操作的多个存储器单元块的半导体装置的操作方法，包括以下步骤：

响应于编程命令来选择一个存储器单元块；

执行预编程操作和预擦除操作使得在选中的所述存储器单元块中包括的存储器单元的阈值电压分布在第一正电压和第一负电压之间；

向第一组位线提供编程许可电压并且向第二组位线提供编程禁止电压，其中所述第一组位线和所述第二组位线互不包括；

执行第一正编程操作，使得从存储器单元中选择的存储器单元的阈值电压达到第一正目标电压；以及

执行第二正编程操作，使得从存储器单元中选择的每个都具有达到所述第一正目标电压的阈值电压的存储器单元的阈值电压达到高于所述第一正目标电压的第二目标电压，

其中，所述预编程操作包括：升高来自选中的所述存储器单元块的存储器单元中的具有擦除状态的存储器单元的阈值电压，以及维持来自选中的所述存储器单元块的存储器单元中的具有编程状态的存储器单元的阈值电压。

14.根据权利要求13所述的操作方法，其中，所述预编程操作包括以下步骤：

向选中的所述存储器单元块的位线提供所述编程许可电压；以及

向耦接到选中的所述存储器单元块的字线提供正预编程电压。