[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201210125262.1 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102760490B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 白容默 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其操作方法。所述半导体器件的操作方法包括通过将编程电压供给到存储器单元的控制栅极和将去俘获电压供给到在半导体衬底内形成的阱来对所述存储器单元进行编程；以及，随后在对编程的存储器单元进行验证之前通过将低于所述去俘获电压的电压供给到所述控制栅极并且还将所述去俘获电压供给到所述阱，来去除在所述存储器单元的隧道绝缘层中俘获的电子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的操作方法，包括以下步骤：通过将编程电压供给到存储器单元的控制栅极和将去俘获电压供给到在半导体衬底内形成的阱来对所述存储器单元进行编程，其中，所述去俘获电压具有低于所述编程电压的正电压；以及随后在对编程的存储器单元进行验证之前，通过将低于所述去俘获电压的电压供给到所述控制栅极并且还将所述去俘获电压供给到所述阱，来去除在所述存储器单元的隧道绝缘层中俘获的电子。
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