[发明专利]半导体器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的操作方法，包括以下步骤：

通过将编程电压供给到存储器单元的控制栅极和将去俘获电压供给到在半导体衬底内形成的阱来对所述存储器单元进行编程；以及

随后在对编程的存储器单元进行验证之前，通过将低于所述去俘获电压的电压供给到所述控制栅极并且还将所述去俘获电压供给到所述阱，来去除在所述存储器单元的隧道绝缘层中俘获的电子。

2.如权利要求1所述的操作方法，其中，所述去俘获电压具有低于所述编程电压的正电压。

3.如权利要求2所述的操作方法，其中，所述去俘获电压为0.1V至0.5V。

4.如权利要求1所述的操作方法，其中，所述编程电压增加了所述去俘获电压。

5.如权利要求1所述的操作方法，其中，将低于所述去俘获电压的电压供给到所述控制栅极的步骤包括：在所述去俘获电压被供给到所述阱的状态下将接地电压供给到所述控制栅极。

6.如权利要求1所述的操作方法，还包括以下步骤：在去除在所述隧道绝缘层中俘获的电子之后通过降低施加给所述阱的电压来验证所述存储器单元。

7.如权利要求6所述的操作方法，其中，降低施加给所述阱的电压的步骤包括将接地电压供给到所述阱。

8.一种半导体器件的操作方法，包括以下步骤：

通过将编程电压供给到选中的字线、将通过电压供给到未选中的字线和将去俘获电压供给到阱来对选中的存储器单元进行编程，其中所述编程电压高于所述通过电压且所述通过电压高于所述去俘获电压；以及

随后在执行所述存储器单元的验证操作之前，将低于所述去俘获电压的电压供给到所述选中的字线和所述未选中的字线并且还将所述去俘获电压供给到所述阱。

9.如权利要求8所述的操作方法，其中，所述去俘获电压具有低于通过电压的正电压。

10.如权利要求8所述的操作方法，其中，所述去俘获电压为0.1V至0.5V。

11.如权利要求8所述的操作方法，其中，所述编程电压和所述通过电压中的每个都增加了所述去俘获电压。

12.如权利要求8所述的操作方法，还包括：通过在所述去俘获电压被供给到所述阱的状态下，在将低于所述去俘获电压的电压供给到所述选中的字线和所述未选中的字线之后将接地电压供给所述阱来执行验证操作。

13.如权利要求8所述的操作方法，还包括以下步骤：

将编程允许电压供给到与所述选中的存储器单元耦接的选中的位线，其中所述编程允许电压是为了在所述选中的存储器单元上执行编程、擦除或读取操作而施加的电压；以及

将编程禁止电压供给到剩余的未选中位线，其中所述编程禁止电压是为了防止在所述未选中的存储器单元上执行编程、擦除或读取操作而供给的电压。

14.如权利要求13所述的操作方法，其中，

所述编程允许电压是接地电压，以及

所述编程禁止电压是电源电压。

15.一种半导体器件，包括：

包括多个存储块的存储器单元阵列；

电压供给电路，被配置成将编程电压供给到选中的字线、将通过电压供给到未选中的字线以及将去俘获电压供给到阱，其中所述编程电压高于所述通过电压，所述通过电压高于所述去俘获电压；以及

控制电路，被配置成控制所述电压供给电路使得所述编程电压、所述通过电压和所述去俘获电压在编程操作中被分别供给到选中的字线、未选中的字线和阱，以及随后在编程验证操作之前，将低于所述去俘获电压的电压供给到所述选中的字线和所述未选中的字线并且还将所述去俘获电压供给到所述阱。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其中，所述电压供给电路包括：

电压生成器，被配置成响应于所述控制电路的控制信号而生成所述编程电压、所述通过电压和所述去俘获电压；以及

行译码器，被配置成将所述电压发生器的电压供给到所述选中的字线、所述未选中的字线和所述阱。

17.如权利要求16所述的半导体器件，还包括：

页缓冲器组，包括多个页缓冲器，且被配置成在所述控制电路的控制下将编程许可电压或编程禁止电压供给到从所述存储块中选出的存储块，其中所述编程许可电压是为了在所述选中的存储器单元上执行编程操作、擦除操作或读取操作而供给的电压，所述编程禁止电压是为了防止在未选中的存储器单元上执行编程操作、擦除操作或读取操作而供给的电压；

列选择器，被配置成选择所述页缓冲器；以及

输入/输出电路，被配置成将数据传送到所述列选择器。