[发明专利]多层基板表面处理层结构及其制造方法无效
申请号: | 201210124963.3 | 申请日: | 2007-06-12 |
公开(公告)号: | CN102683219A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 杨之光;邢介琳 | 申请(专利权)人: | 巨擘科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/14 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明多层基板表面处理层结构包含一焊垫层、至少一包覆金属层以及一防焊层。焊垫层内嵌于一介电层。包覆金属层用以包覆焊垫层,防焊层则具有一裸露包覆金属层的开孔。本发明先形成包覆金属层于焊垫层表面后,再形成防焊层,之后再在包覆金属层的位置对防焊层进行开孔,裸露包覆金属层。因本发明的焊垫层内嵌于介电层,能增加焊垫层与介电层间的附着力。同时因防焊层覆盖包覆金属层的一部分,能避免封装时锡材或其它焊剂与焊垫层的接触。 | ||
搜索关键词: | 多层 表面 处理 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种多层基板的表面处理层结构的制造方法,该制造方法包含下列步骤:于一载板表面形成一焊垫层;于该焊垫层上形成一介电层,以将该焊垫层内嵌于该介电层内;将该焊垫层和该介电层从该载板表面分离;在该焊垫层的表面形成至少一包覆金属层,该包覆金属层完全覆盖于该焊垫层;形成一防焊层在该多层基板具有该焊垫层的表面;以及 在该包覆金属层的位置对该防焊层进行开孔,裸露该包覆金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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