[发明专利]多层基板表面处理层结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210124963.3 | 申请日： | 2007-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102683219A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨之光;邢介琳 | 申请（专利权）人： | 巨擘科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/14 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 表面 处理 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层基板的表面处理层结构的制造方法，该制造方法包含下列步骤：
于一载板表面形成一焊垫层；
于该焊垫层上形成一介电层，以将该焊垫层内嵌于该介电层内；
将该焊垫层和该介电层从该载板表面分离；
在该焊垫层的表面形成至少一包覆金属层，该包覆金属层完全覆盖于该焊垫层；
形成一防焊层在该多层基板具有该焊垫层的表面；以及
在该包覆金属层的位置对该防焊层进行开孔，裸露该包覆金属层。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该防焊层覆盖该包覆金属层的一部分。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在该防焊层所开孔的面积包含该包覆金属层所占的全部面积。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在于该焊垫层上形成该介电层的步骤前，还包括在该焊垫层与该介电层表面间施以一介面附着强化处理的步骤，以增加该焊垫层与该介电层的附着强度。
5.一种多层基板的表面处理层结构的制造方法，该制造方法包含下列步骤：
于一载板表面形成一焊垫层；
于该焊垫层上形成一介电层，以将该焊垫层内嵌于该介电层内；
将该焊垫层和该介电层从该载板表面分离；
形成一防焊层在该多层基板具有该焊垫层的表面；
在对应该焊垫层的位置对该防焊层进行开孔，以裸露该焊垫层；以及
于该焊垫层的表面形成至少一包覆金属层，其用以包覆该焊垫层。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：该防焊层覆盖该焊垫层的一部分。
7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：在该防焊层所开孔的面积包含该焊垫层所占的面积。
8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：在于该焊垫层上形成该介电层的步骤前，还包括在该焊垫层与该介电层表面间施以一介面附着强化处理的步骤，以增加该焊垫层与该介电层的附着强度。
9.一种多层基板的表面处理层结构的制造方法，该制造方法包含下列步骤：
于一载板表面形成一防焊层；
于该防焊层上形成一焊垫层；
于该焊垫层上形成一介电层，以将该焊垫层内嵌于该介电层内；
将该防焊层以及该焊垫层和该介电层从该载板表面分离；
在该多层基板的该介电层的表面所内嵌的该焊垫层的位置对该防焊层进行开孔，以裸露该焊垫层；以及
于该焊垫层的表面形成至少一包覆金属层，其用以包覆该焊垫层。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于：该防焊层覆盖该焊垫层的一部分。
11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于：在该防焊层所开孔的面积包含该焊垫层所占的面积。
12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于：在于该焊垫层上形成该介电层的步骤前，还包括在该焊垫层与该介电层表面间施以一介面附着强化处理的步骤，以增加该焊垫层与该介电层的附着强度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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