[发明专利]晶相可控的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法有效
申请号: | 201210124738.X | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN102642864A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 季书林;叶长辉;邱晓东;张煜欣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | C01G19/00 | 分类号: | C01G19/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶相可控的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法,属光电材料制备领域。该方法包括:前驱物络合:将金属氯化物盐类和单质硫加入容器中,加入醇类溶剂和油胺,通入氮气或氩气为保护气,进行磁力搅拌并加热至一定温度进行络合,得反应前驱液;溶剂热制备:搅拌并通入保护气氮气或氩气,使反应前驱液升温至一定温度反应一段时间,冷却并向得到的具有流动性的反应液中加入乙醇后离心分离沉淀得到Cu2ZnSnS4纳米晶晶粒;清洗:用清洗剂洗掉得到的Cu2ZnSnS4纳米晶晶粒表面的油胺,得到单分散CZTS纳米晶胶体;后处理:对得到的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶胶体真空干燥,即得到单分散Cu2ZnSnS4纳米晶粉末。该方法简单、成本低。 | ||
搜索关键词: | 可控 分散 cu sub znsns 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶相可控的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法,其特征在于,包括:前驱物络合:将金属氯化物盐类CuCl、ZnCl2、SnCl4和单质硫加入容器中,向所述容器中加入醇类溶剂和油胺,同时向所述容器内通入氮气或氩气作为保护气,对所述容器内进行磁力搅拌并加热至一定温度进行络合,络合后得到反应前驱液;溶剂热制备:在搅拌并通入氮气或氩气作为保护气条件下,使上述络合后的反应前驱液升温至一定温度反应一段时间,反应后冷却,向冷却后得到的具有流动性的反应液中加入乙醇后离心分离沉淀得到Cu2ZnSnS4纳米晶晶粒;清洗:用清洗剂清洗掉上述得到的所述Cu2ZnSnS4纳米晶晶粒表面的油胺,得到单分散Cu2ZnSnS4纳米晶胶体;后处理:对上述得到的所述单分散Cu2ZnSnS4纳米晶胶体进行真空干燥,即得到纯相单分散Cu2ZnSnS4纳米晶。
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