[发明专利]半导体陶瓷组合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201210122740.3 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102674831A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 岛田武司;寺尾公一;田路和也 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;H01C7/02 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供其中BaTiO3的一部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组合物，其可在煅烧步骤中抑制Bi的蒸发，通过防止Bi-Na的组成改变抑制二次相的形成，进一步降低室温下电阻，和抑制居里温度的发散，以及提供制备其的方法。通过分别制备(BaQ)TiO3的组合物(Q是半导体掺杂物)和(BiNa)TiO3的组合物，并在相对高的温度下煅烧(BaQ)TiO3的组合物和在相对低的温度下煅烧(BiNa)TiO3的组合物，以从而在它们各自最佳的温度下煅烧所述组合物，在(BiNa)TiO3的组合物中Bi的蒸发可以被抑制，二次相的形成可以通过防止Bi-Na的组成改变而被抑制；并且通过混合、形成和烧结所述煅烧的粉末，可以提供具有小的室温下电阻和所述居里温度的发散被抑制的半导体陶瓷组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体陶瓷组合物，其可通过形成和烧结(BaR)TiO3(其中R是半导体掺杂物并且是选自La、Dy、Eu、Gd和Y中的至少一种)的煅烧粉末和(BiNa)TiO3的煅烧粉末的混合煅烧粉末而获得，其中所述半导体陶瓷组合物具有表示为下式的组成式，[(BiNa)x(Ba1‑yRy)1‑x]TiO3，其中x和y各自满足0＜x≤0.2和0＜y≤0.02，并且其中Bi与Na的比满足Bi/Na＝0.78至1的关系。
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