[发明专利]一种降低负载效应的硅锗结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210121139.2 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103378151A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低负载效应的硅锗结构及其制造方法，将单线区浅槽进一步刻蚀，使其深度加深，如此使得形成硅锗应力源层时不会由于负载效应而产生显著的高度差，也就是说，使得单线区和密线区形成的硅锗应力源层的顶部基本处于同一个平面，在本发明中，其差异仅仅为约2nm，比传统工艺有着巨大的进步，如此很好的避免了负载效应所带来的影响，不会使得硅锗应力源层给源漏区施加的压应力变小，避免了源漏极漏电现象的发生，保证了PMOS的性能不受影响，大大的提高了器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 负载 效应 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种降低负载效应的硅锗结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述衬底包括单线区和密线区；在所述单线区和所述密线区上形成浅槽；在所述密线区覆盖掩膜层；刻蚀所述单线区的浅槽，形成深槽；去除密线区上的掩膜层；在所述浅槽和深槽中形成硅锗应力源层。
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