[发明专利]一种降低负载效应的硅锗结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210121139.2 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103378151A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 负载 效应 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种降低负载效应的硅锗结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述衬底包括单线区和密线区；
在所述单线区和所述密线区上形成浅槽；
在所述密线区覆盖掩膜层；
刻蚀所述单线区的浅槽，形成深槽；
去除密线区上的掩膜层；
在所述浅槽和深槽中形成硅锗应力源层。
2.如权利要求1所述的降低负载效应的硅锗结构的形成方法，其特征在于，所述浅槽为sigma形状。
3.如权利要求2所述的降低负载效应的硅锗结构的形成方法，其特征在于，所述浅槽经干法刻蚀或湿法刻蚀形成。
4.如权利要求1～3中的任一项所述的降低负载效应的硅锗结构的形成方法，其特征在于，所述浅槽的深度为1～200nm。
5.如权利要求1所述的降低负载效应的硅锗结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层为光阻，二氧化硅，氮化硅中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的降低负载效应的硅锗结构的形成方法，其特征在于，所述深槽为sigma形状。
7.如权利要求6所述的降低负载效应的硅锗结构的形成方法，其特征在于，所述深槽为经碱性化学药品反应形成。
8.如权利要求1所述的降低负载效应的硅锗结构的形成方法，其特征在于，所述深槽比浅槽深1～100nm。
9.一种利用权利要求1～8中的任一项降低负载效应的硅锗结构的形成方法制得的降低负载效应的硅锗结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述衬底包括单线区和密线区；
位于单线区的浅槽和位于密线区的深槽，其中所述深槽比浅槽深；
位于所述浅槽和所述深槽中的硅锗应力源层。
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