[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210120451.X | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103377931A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 何卫;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供第一半导体材料的单晶衬底(100)；在衬底(100)表面外延生长第二半导体材料的单晶外延层(110)；形成贯穿外延层进入衬底中一定深度的填充有沟槽绝缘物质的浅沟槽隔离结构(210)；图形化所述浅沟槽隔离结构(210)中的沟槽绝缘物质以及所述外延层(110)形成伪栅极；在伪栅极周围形成侧墙(310)，所述侧墙(310)的材料不同于所述沟槽绝缘物质以及所述第二半导体材料；形成覆盖整个半导体结构的层间介质层(400)；除去所述层间介质层(400)的一部分以暴露所述伪栅；去除所述伪栅极，形成栅极凹陷(500)；在所述栅极凹陷(500)中形成栅介质层(600)以及栅电极层(610)。本发明利于降低栅极两侧表面的粗糙度。本发明还提供了根据上述方法制造的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供第一半导体材料的单晶衬底(100)；b)在衬底(100)表面外延生长第二半导体材料的单晶外延层(110)；c)形成贯穿外延层进入衬底中一定深度的填充有沟槽绝缘物质的浅沟槽隔离结构(210)；d)图形化所述浅沟槽隔离结构(210)中的沟槽绝缘物质以及所述外延层(110)形成伪栅极；e)在伪栅极周围形成侧墙(310)，所述侧墙(310)的材料不同于所述沟槽绝缘物质以及所述第二半导体材料；f)形成覆盖整个半导体结构的层间介质层(400)；g)除去所述层间介质层(400)的一部分以暴露所述伪栅；h)去除所述伪栅极，形成栅极凹陷(500)；i)在所述栅极凹陷(500)中形成栅介质层(600)以及栅电极层(610)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
