[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210120057.6 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103137661B | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李钟锡;洪坰国 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开的是配置为将集中到栅氧化膜的电场减小并将在器件进行向前动作时所产生的导通电阻降低的LDMOS器件及其制造方法。更具体地，当将n‑漂移区形成在P‑型基底上时，通过外延工艺将p‑基体形成在n‑漂移区上，然后将该p‑基体区域部分蚀刻，以形成为多个p‑外延层，使得当器件执行用于阻断反向电压的动作时，在包括n‑漂移区与p‑基体之间的接合面的p‑外延层与n‑漂移区的接合面之间形成耗尽层。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：在P‑型基底上形成的n‑漂移区；在所述n‑漂移区顶部表面的一侧形成的p‑基体的第一部分；在所述n‑漂移区顶部表面的另一侧，由部分蚀刻的p‑基体的第二部分形成的多个p‑外延层；通过向所述p‑基体注入N‑型和P‑型离子而形成的n+源极和p+源极；在所述n‑漂移区上的所述外延层的一侧处形成的n+漏极；在所述p‑基体的一个端部与各个所述p‑外延层的一个端部之间的空间内形成并且形成为将各个所述p‑外延层封装的场氧化膜；在所述场氧化膜的沟槽部分中形成的栅氧化膜；在所述n+源极和所述p+源极上形成的源电极；以及在所述n+漏极上形成的漏电极。
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