[发明专利]薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法无效
| 申请号： | 201210117644.X | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102646718A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 荒井俊明;诸泽成浩;徳永和彦 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李渤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极；形成在栅电极上的栅绝缘膜；氧化物半导体薄膜层，该层在栅绝缘膜上形成对应于栅电极的沟道区；沟道保护层，该层被形成在栅绝缘膜和氧化物半导体薄膜层上至少与沟道区相对应的区域中，并且包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层；和源/漏电极，该源/漏电极被形成在沟道保护层上并且电连接至氧化物半导体薄膜层，其中第一沟道保护层由氧化物绝缘材料制成，并且第一沟道保护层和第二沟道保护层中的一者或两者由低氧渗透性材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极；形成在所述栅电极上的栅绝缘膜；氧化物半导体薄膜层，该氧化物半导体薄膜层在所述栅绝缘膜上形成对应于所述栅电极的沟道区；沟道保护层，该沟道保护层被至少形成在所述栅绝缘膜和所述氧化物半导体薄膜层上与所述沟道区相对应的区域中，并且包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层；和源/漏电极，该源/漏电极被形成在所述沟道保护层上并且电连接至所述氧化物半导体薄膜层，其中，所述第一沟道保护层由氧化物绝缘材料制成，并且所述第一沟道保护层和所述第二沟道保护层中的一者或两者由低氧渗透性材料制成。
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