[发明专利]薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极；

形成在所述栅电极上的栅绝缘膜；

氧化物半导体薄膜层，该氧化物半导体薄膜层在所述栅绝缘膜上形成对应于所述栅电极的沟道区；

沟道保护层，该沟道保护层被至少形成在所述栅绝缘膜和所述氧化物半导体薄膜层上与所述沟道区相对应的区域中，并且包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层；和

源/漏电极，该源/漏电极被形成在所述沟道保护层上并且电连接至所述氧化物半导体薄膜层，

其中，所述第一沟道保护层由氧化物绝缘材料制成，并且所述第一沟道保护层和所述第二沟道保护层中的一者或两者由低氧渗透性材料制成。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一沟道保护层由不使氧从所述氧化物半导体薄膜层分离的材料制成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述低氧渗透性材料的氧渗透率为0.1(cc/m²每天)或更低。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一沟道保护层由不向所述氧化物半导体薄膜层供应氢的材料制成。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一沟道保护层和所述第二沟道保护层中的一层或两层由低水汽渗透性材料制成。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中所述低水汽渗透性材料的水汽渗透率为0.1(g/m²每天)或更低。

7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第一沟道保护层由氧化硅、氧化钽、氧化钛、氧化铪、氧化锆、氧化钇、氧化铝、它们的含氮材料或氮化硅构成。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中在所述沟道保护层中在所述沟道区附近设有贯通至所述氧化物半导体薄膜层的开口。

9.一种显示单元，包括：

显示器件；和

用于驱动该显示器件的薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管具有：

栅电极，

形成在所述栅电极上的栅绝缘膜；

氧化物半导体薄膜层，该氧化物半导体薄膜层在所述栅绝缘膜上形成对应于所述栅电极的沟道区，

沟道保护层，该沟道保护层被至少形成在所述栅绝缘膜和所述氧化物半导体薄膜层上与所述沟道区相对应的区域中，并且包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层，和

源/漏电极，该源/漏电极被形成在所述沟道保护层上并且电连接至所述氧化物半导体薄膜层，

其中，所述第一沟道保护层由氧化物绝缘材料制成，并且所述第一沟道保护层和所述第二沟道保护层中的一者或两者由低氧渗透性材料制成。

10.根据权利要求9所述的显示单元，其中所述显示器件是有机发光器件，该有机发光器件具有阳极、包括发光层的有机层、和阴极。

11.一种制造薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：

在基板上依次形成栅电极和栅绝缘膜；

形成氧化物半导体薄膜层，该氧化物半导体薄膜层与所述栅电极相对应地具有沟道区；

在所述栅绝缘膜和所述氧化物半导体薄膜层上至少在与所述沟道区相对应的区域中形成沟道保护层，该沟道保护层包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层；

通过图案化所述沟道保护层来形成用于获得与所述氧化物半导体薄膜层之间的电连接的触孔；以及

在所述沟道保护层和所述触孔上形成源/漏电极，其中氧化物绝缘材料被用作所述第一沟道保护层，低氧渗透性材料被用作所述第一沟道保护层和所述第二沟道保护层中的一者或两者。

12.根据权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中，在形成所述第一沟道保护层的步骤中，成膜气体的成分不含氢。

13.根据权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中，在形成所述触孔的步骤中，在所述第一和第二沟道保护层中在所述沟道区附近的部分被图案化，从而形成贯通至所述氧化物半导体薄膜层的开口。

14.根据权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中，在形成所述开口后进行氧退火处理，从而通过所述开口向所述氧化物半导体薄膜层供氧。

15.根据权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中，在形成所述氧化物半导体薄膜层后且在形成所述第一沟道保护层前、在形成所述第一沟道保护层后且在形成所述第二沟道保护层前、或者在形成所述第二沟道保护层后进行所述氧退火处理，从而向所述氧化物半导体薄膜层供氧。