[发明专利]用于生产晶片级封装体的方法和对应的半导体封装体有效

专利信息
申请号: 201210114100.8 申请日: 2012-04-16
公开(公告)号: CN102768961A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 靳永钢;刘云;蔡珮玉;A·拉玛萨米;黄耀煌;颜佳维 申请(专利权)人: 意法半导体有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;边海梅
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 本公开涉及用于生产晶片级封装体的方法和对应的半导体封装体。更具体地,涉及一种半导体封装工艺,包括在重构晶片中钻孔、然后通过跨晶片的背表面抹拭某一数量的导电胶从而迫使胶进入孔中来用胶填充孔。使胶固化以形成导电接线柱。使晶片减薄,并且在晶片的前表面和背表面上形成重新分布层,而接线柱充当在重新分布层之间的互连。在备选工艺中,钻出盲孔。向晶片的前表面涂敷干膜抗蚀剂,并且使其图案化以暴露孔。从正面涂敷导电胶。为了防止胶在孔中俘获气穴,在真空下执行抹拭工艺。在固化了胶之后,减薄晶片以暴露孔中的固化的胶,并且形成了重新分布层。
搜索关键词: 用于 生产 晶片 封装 方法 对应 半导体
【主权项】:
一种方法,包括:形成穿过重构晶片延伸的多个孔,多个半导体材料裸片嵌入在所述重构晶片中,每个所述裸片的正面在所述晶片的正面处暴露;向所述重构晶片的背面涂敷某一数量的导电胶;跨所述晶片的所述背面抹拭所述某一数量的导电胶,并且迫使所述胶的柱状物进入到所述多个孔中的每个孔中;控制每个胶的柱状物以沿着所述相应孔传递直至所述柱状物的前端位于所述重构晶片的所述正面的所选距离内;使所述多个孔中的所述导电胶固化,以形成穿过所述晶片延伸的多个导电接线柱;以及在所述晶片的所述正面上形成重新分布层,包括形成多个导电迹线,所述迹线的每个迹线的一部分与所述导电接线柱中的相应的导电接线柱形成物理接触或者电接触。
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