[发明专利]金属氧化物半导体晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201210113783.5 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102956711B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 冉晓雯;蔡娟娟;叶隽正;陈良豪 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是提供一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括下列步骤。在基板上依序形成栅极、栅极绝缘层、图案化金属氧化物半导体层、源极和漏极。在图案化金属氧化物半导体层上形成迁移率增强层。在温度为约200℃至约350℃的环境中，对金属氧化物半导体层和迁移率增强层进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，包含：形成一栅极于一基板上；形成一栅极绝缘层覆盖该栅极；形成一图案化金属氧化物半导体层于该栅极绝缘层上，该图案化金属氧化物半导体层具有一通道区；形成一源极及一漏极于该图案化金属氧化物半导体层上，其中该源极与该漏极间的一间隙露出该通道区；形成一迁移率增强层于该通道区上，其中该迁移率增强层不接触该源极及该漏极，该迁移率增强层包含一未达饱和氧化状态的氧化物，其中该未达饱和氧化状态的氧化物是选自未饱和氧化钙、未饱和氧化锂、未饱和氧化钾、未饱和氧化钠、未饱和氧化镁、未饱和氧化铯、未饱和氧化钼、未饱和氧化银、未饱和氧化钡、未饱和氧化钛、未饱和氧化铁、未饱和氧化镓以及未饱和氧化锗所组成的群组；以及在温度为200℃至350℃的环境中，对该金属氧化物半导体层及该迁移率增强层进行一退火制程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元太科技工业股份有限公司，未经元太科技工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210113783.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：马达
- 下一篇：半导体元件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
