[发明专利]金属氧化物半导体晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，包含：

形成一栅极于一基板上；

形成一栅极绝缘层覆盖该栅极；

形成一图案化金属氧化物半导体层于该栅极绝缘层上，该图案化金属氧化物半导体层具有一通道区；

形成一源极及一漏极于该图案化金属氧化物半导体层上，其中该源极与该漏极间的一间隙露出该通道区；

形成一迁移率增强层于该通道区上，其中该迁移率增强层不接触该源极及该漏极；以及

在温度为约200℃至约350℃的环境中，对该金属氧化物半导体层及该迁移率增强层进行一退火制程。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，形成该金属氧化物半导体层的步骤包含使用一射频磁控溅镀或一直流溅镀。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，该金属氧化物半导体层的材料为非晶铟镓锌氧化物、铟锌氧化物或非晶铟锌锡氧化物。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，形成该迁移率增强层的步骤包含使用一热蒸镀制程或一溅镀制程。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，该迁移率增强层的材料为可与氧产生键结的无机物、离子型化合物或共价型化合物。

6.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，该迁移率增强层的材料选自由钡、钙、钛、铁、镓、镁、铝、锗、硅以及上述金属的氧化物所组成的群组。

7.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，于形成该源极及该漏极的步骤后，还包含形成一图案化保护层覆盖该源极及该漏极，其中该图案化保护层具有一开口露出该通道区的一部分。

8.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，在形成该迁移率增强层步骤后，还包含形成一保护层覆盖该源极、该漏极、该金属氧化物半导体层以及该迁移率增强层。

9.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，于形成该迁移率增强层之前，还包含对该金属氧化物半导体层进行一热处理制程，且该热处理的温度在约200℃至约350℃。

10.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，该退火制程的温度范围是在约200℃至约250℃。

11.一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

形成一栅极于一基板上；

形成一栅极绝缘层覆盖该栅极；

形成一图案化金属氧化物半导体层于该栅极绝缘层上，该图案化金属氧化物半导体层具有一通道区；

形成一源极及一漏极于该图案化金属氧化物半导体层上，其中该源极与该漏极间的一间隙露出该通道区；

以一迁移率增强介质对该通道区进行表面处理；以及

在温度为约200℃至约350℃的环境中，对已进行该表面处理的该金属氧化物半导体层进行一退火制程。

12.根据权利要求11所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，该迁移率增强介质为可与氧产生键结的液体、气体或有机物。

13.根据权利要求11所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，该迁移率增强介质包含至少一物质，是选自由2-甲基戊烷、2，2-二甲基丁烷、三级丁醇以及苯所组成的群组。

14.根据权利要求11所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，该迁移率增强介质为一氧化碳或氢气。

15.根据权利要求11所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，在该表面处理步骤后，还包含形成一保护层覆盖该源极、该漏极以及该金属氧化物半导体层。

16.根据权利要求11所述的金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，该退火制程的温度范围是在约200℃至约250℃。