[发明专利]发光二极管装置无效
| 申请号： | 201210113480.3 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103296047A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 谢炎璋;施雅萱 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 大开曼岛*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管装置，包含至少一个发光二极管单元。每一个发光二极管单元包含至少一个发光二极管，其包含n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层及主动层，其位于n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层之间。主动层具有一个或多个井层，至少一个该井层为多层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 | ||
【主权项】：
一种发光二极管装置，包含：至少一个发光二极管单元，该发光二极管单元包含至少一个发光二极管，该发光二极管包含：一n侧氮化物半导体层；一p侧氮化物半导体层；及一主动层，该主动层位于所述n侧氮化物半导体层与所述p侧氮化物半导体层之间；其中，所述主动层具有一个或多个井层，该一个或多个井层中的至少一个所述井层为多层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
