[发明专利]发光二极管装置

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包含：

至少一个发光二极管单元，该发光二极管单元包含至少一个发光二极管，该发光二极管包含：

一n侧氮化物半导体层；

一p侧氮化物半导体层；及

一主动层，该主动层位于所述n侧氮化物半导体层与所述p侧氮化物半导体层之间；

其中，所述主动层具有一个或多个井层，该一个或多个井层中的至少一个所述井层为多层结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述多层结构包含至少一个第一子井层及至少一个第二子井层，该第一子井层与该第二子井层交替堆栈组成所述多层结构，且所述多层结构为一超晶格结构。

3.如权利要求2所述的发光二极管装置，其中，所述n侧氮化物半导体层包含n型氮化镓(GaN)，所述p侧氮化物半导体层包含p型氮化镓，所述第一子井层与所述第二子井层各包含氮化铟镓(InGaN)。

4.如权利要求3所述的发光二极管装置，其中，所述第一子井层的铟浓度不同于所述第二子井层的铟浓度。

5.如权利要求2所述的发光二极管装置，其中，所述第一子井层的能隙不同于所述第二子井层的能隙。

6.如权利要求2所述的发光二极管装置，还包含一基板，所述发光二极管单元设置于该基板上。

7.如权利要求6所述的发光二极管装置，其中，所述基板为极性基板，所述第一子井层与所述第二子井层的厚度各小于或等于2纳米。

8.如权利要求6所述的发光二极管装置，其中，所述基板为半极性基板或非极性基板，所述第一子井层与所述第二子井层的厚度各小于或等于10纳米。

9.如权利要求2所述的发光二极管装置，还包含：

一第一中间层，该第一中间层位于所述n侧氮化物半导体层与所述主动层之间；与

一第二中间层，该第二中间层位于所述主动层与所述p侧氮化物半导体之间；

其中，所述第一中间层与第二中间层的成分不同。

10.如权利要求9所述的发光二极管装置，其中，所述第一中间层包含氮化铝镓子层及氮化铟镓子层，其中，所述氮化铟镓子层接触所述主动层。

11.如权利要求9所述的发光二极管装置，其中，所述第二中间层包含氮化铟镓子层及氮化镓子层，其中，所述氮化镓子层接触所述主动层。

12.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述至少一个发光二极管单元包含多个所述发光二极管单元，以数组型式排列，且每一个所述发光二极管单元包含一第一电极及一第二电极，其中，相邻的发光二极管单元的第一电极及第二电极电性连结，因而形成一串联和/或并联序列。

13.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管单元包含一第一发光二极管及一第二发光二极管，藉由一穿隧接面将所述第一发光二极管与所述第二发光二极管迭加在一起；

其中，所述第一发光二极管包含n侧氮化物半导体层、主动层与p侧氮化物半导体层，所述第二发光二极管包含n侧氮化物半导体层、主动层与p侧氮化物半导体层，其中，所述第二发光二极管的n侧氮化物半导体层藉由所述穿隧接面而垂直迭加于所述第一发光二极管的p侧氮化物半导体层。

14.如权利要求13所述的发光二极管装置，还包含：

一第一电极，所述n侧氮化物半导体层包含n型氮化镓层，所述第一电极电性连接所述n型氮化镓层；及

一第二电极，所述p侧氮化物半导体层包含p型氮化镓层，所述第二电极电性连接所述p型氮化镓层。

15.如权利要求14所述的发光二极管装置，其中，所述至少一个发光二极管单元包含多个所述发光二极管单元，以数组型式排列，其中，相邻的发光二极管单元可藉由其第一电极或第二电极彼此电性连结，因而形成一串联和/或并联序列。