[发明专利]测试结构、其制造方法、测试方法、以及MRAM阵列有效
| 申请号： | 201210111628.X | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103165581A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 高雅真;江典蔚;林春荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了测试结构、其制造方法、测试方法以及磁性随机存取存储器(MRAM)阵列。在一个实施例中，公开了测试结构。测试结构包括MRAM单元，其具有磁性隧道结(MTJ)和连接至MTJ的晶体管。测试结构包括连接在MTJ与晶体管之间的测试节点以及连接至测试节点的接触焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 制造 方法 以及 mram 阵列 | ||
【主权项】：
一种测试结构，包括：磁性随机存取存储器MRAM单元，包括磁性隧道结MTJ和连接至所述MTJ的晶体管；测试节点，连接在所述MTJ和所述晶体管之间；以及接触焊盘，连接至所述测试节点。
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