[发明专利]测试结构、其制造方法、测试方法、以及MRAM阵列

权利要求书

1.一种测试结构，包括：

磁性随机存取存储器MRAM单元，包括磁性隧道结MTJ和连接至所述MTJ的晶体管；

测试节点，连接在所述MTJ和所述晶体管之间；以及

接触焊盘，连接至所述测试节点。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其中，所述晶体管包括双极结晶体管BJT或互补金属氧化物半导体CMOS器件。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其中，所述MRAM单元包括自旋传递扭矩(STT)切换MRAM单元。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其中，所述测试节点包括第一测试节点，进一步包括连接至所述MTJ的第二测试节点、连接至所述晶体管的栅极的第三测试节点、和连接至所述晶体管的源极或漏极的第四测试节点。

5.根据权利要求4所述的测试结构，其中，所述晶体管设置在衬底的上方，以及其中，所述测试结构进一步包括连接至所述衬底的第五测试节点。

6.一种MRAM阵列，包括根据权利要求5所述的测试结构。

7.根据权利要求6所述的MRAM阵列，其中，所述第二测试节点连接至所述MRAM阵列的位线，其中，所述第三测试节点连接至所述MRAM阵列的字线，以及其中，所述第四测试节点连接至所述MRAM阵列的选择线。

8.根据权利要求7所述的MRAM阵列，其中，所述字线设置在所述衬底的上方，其中，所述选择线设置在第一金属层中的所述字线的上方，其中，所述第一测试节点设置在所述第一金属层中，以及其中，所述位线设置在所述第一金属层上方设置的第二金属层中。

9.一种制造测试结构的方法，所述方法包括：

在工件的上方形成多个磁性随机存取存储器MRAM单元，每个MRAM单元都包括磁性隧道结MTJ和连接至所述MTJ的晶体管；

将测试节点连接至所述MTJ和所述晶体管之间的多个MRAM单元中的一个；

将接触焊盘连接至所述测试节点。

10.一种测试方法，包括：

提供测试结构，所述测试结构包括磁性随机存取存储器MRAM单元，所述MRAM单元包括磁性隧道结MTJ和连接至所述MTJ的晶体管，所述测试结构包括连接在所述MTJ和所述晶体管之间的测试节点，其中，所述测试结构连接至位线、字线、和选择线并设置在衬底的上方；以及

使用所述测试节点、所述位线、所述字线、所述选择线、和所述衬底中的至少两个的组合对所述测试结构的一部分执行测试。