[发明专利]C/SiC 复合材料、该复合材料的制备方法及摩擦片无效
| 申请号： | 201210110949.8 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102617178A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 曹英斌;张长瑞;刘荣军;王思青;李斌 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/52;C04B35/565;C04B35/622;F16D69/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种C/SiC复合材料、该复合材料的制备方法及摩擦片，该方法包括以下步骤：1)沉积SiC层：采用化学气相沉积法在碳纤维表画沉积上厚度为2～10μm的SiC层，得到具有SiC层的碳纤维；2)浸渍沥青：在具有SiC层的碳纤维中加入沥青，升温融化沥青后，恒温加压浸渍，得到C/树脂生坯；3)碳化：冷却后在保护气氛下碳化C/树脂生坯，得到C/C复合材料预制体；4)气相渗硅：真空烧结条件下采用气相渗硅法处理C/C复合材料预制体后得到C/SiC复合材料。本发明提供的方法制备得到的C/SiC复合材料的弯曲强度达203MPa、弹性模量达256GPa、摩擦系数为0.238，各项力学性能优良，C/SiC复合材料内外组份均一。 | ||
| 搜索关键词： | sic 复合材料 制备 方法 摩擦 | ||
【主权项】：
一种C/SiC复合材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)沉积SiC层：采用化学气相沉积法在碳纤维表画上沉积厚度为2～10μm的SiC层，得到具有SiC层的碳纤维；2)浸渍沥青：在所述具有SiC层的碳纤维中加入沥青，升温融化沥青后，恒温加压浸渍，得到C/树脂生坯；3)碳化：冷却后在保护气氛下碳化所述C/树脂生坯，得到C/C复合材料预制体；4)气相渗硅：真空烧结条件下采用气相渗硅法处理所述C/C复合材料预制体后得到所述C/SiC复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学，未经中国人民解放军国防科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210110949.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：青蒿素B在制备抗肿瘤药物中的应用
- 下一篇：分布式光纤布里渊应变和温度传感器
