[发明专利]C/SiC 复合材料、该复合材料的制备方法及摩擦片无效
| 申请号： | 201210110949.8 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102617178A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 曹英斌;张长瑞;刘荣军;王思青;李斌 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/52;C04B35/565;C04B35/622;F16D69/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 复合材料 制备 方法 摩擦 | ||
【权利要求书】：
1.一种C/SiC复合材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)沉积SiC层：采用化学气相沉积法在碳纤维表画上沉积厚度为2～10μm的SiC层，得到具有SiC层的碳纤维；
2)浸渍沥青：在所述具有SiC层的碳纤维中加入沥青，升温融化沥青后，恒温加压浸渍，得到C/树脂生坯；
3)碳化：冷却后在保护气氛下碳化所述C/树脂生坯，得到C/C复合材料预制体；
4)气相渗硅：真空烧结条件下采用气相渗硅法处理所述C/C复合材料预制体后得到所述C/SiC复合材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳纤维为体积分数为10％～30％的碳纤维毡体；所述碳化的温度为900～1200℃。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述真空烧结的步骤中，真空度为20～200Pa，烧结温度1500～1700℃，烧结保温时间为1～6小时。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述恒温加压浸渍步骤是在1～10MPa，300～500℃下恒温1～3h。
5.一种权利要求1～4中任一项所述方法制得的C/SiC复合材料，其特征在于，所述C/SiC复合材料的碳纤维表画沉积有厚度为2～10μm的SiC层。
6.一种权利要求5所述的C/SiC复合材料制成的摩擦片。
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