[发明专利]双掩膜SOI MEMS加工方法无效
| 申请号： | 201210110745.4 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102616734A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张照云;高杨;彭勃;施志贵;苏伟 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双掩膜SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。本发明的SOI晶圆片的硅结构层进行了浓硼掺杂，掺杂浓度大于5×1018/cm3。本发明的方法包括：在硅片正面溅射一层铝，光刻，刻蚀铝，在硅片上定义出完整的MEMS结构图形；光刻，在硅片上形成细线宽结构图形；采用ICP刻蚀方法刻蚀细线宽结构；去除光刻胶，采用ICP刻蚀方法同时刻蚀宽细线宽结构；刻蚀结构层下的绝缘层；采用KOH溶液腐蚀方法刻蚀硅衬底。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 双掩膜 soi mems 加工 方法 | ||
【主权项】：
双掩膜SOI MEMS加工方法，其步骤包括：（a）在硅片正面溅射一层铝，光刻，刻蚀铝，在硅片上定义出完整的MEMS结构图形；（b）光刻，在硅片上形成细线宽结构图形；（c）采用ICP刻蚀方法刻蚀细线宽结构；（d）去除光刻胶，采用ICP刻蚀方法同时刻蚀宽细线宽结构；（e）刻蚀结构层下的绝缘层；（f）采用KOH溶液腐蚀方法刻蚀硅衬底。
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