[发明专利]双掩膜SOI MEMS加工方法无效
| 申请号： | 201210110745.4 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102616734A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张照云;高杨;彭勃;施志贵;苏伟 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双掩膜 soi mems 加工 方法 | ||
1.双掩膜SOI MEMS加工方法，其步骤包括：
（a）在硅片正面溅射一层铝，光刻，刻蚀铝，在硅片上定义出完整的MEMS结构图形；
（b）光刻，在硅片上形成细线宽结构图形；
（c）采用ICP刻蚀方法刻蚀细线宽结构；
（d）去除光刻胶，采用ICP刻蚀方法同时刻蚀宽细线宽结构；
（e）刻蚀结构层下的绝缘层；
（f）采用KOH溶液腐蚀方法刻蚀硅衬底。
2.根据权利1所述的双掩膜SOI MEMS加工方法，其特征在于所述步骤（a）中的硅片为SOI硅片（1），包括硅结构层（2）、硅衬底层（4）以及位于硅结构层（2）与硅衬底层（4）之间的绝缘层（3）。
3.根据权利1所述的双掩膜SOI MEMS加工方法，其特征在于硅结构层（2）进行了浓硼掺杂，掺杂浓度大于 。
4.根据权利1所述的双掩膜SOI MEMS加工方法，其特征在于步骤（c）中控制细线宽结构的刻蚀时间，以使得步骤（d）中宽细线宽结构刻蚀到绝缘层（3）上的时间基本相同。
5.根据权利1所述的双掩膜SOI MEMS加工方法，其特征在于步骤（e）中绝缘层（3）的去除包括湿法腐蚀。
6.根据权利1所述的双掩膜SOI MEMS加工方法，其特征在于步骤（f）中硅衬底层（4）的刻蚀包括各向异性腐蚀。
7.根据权利1所述的双掩膜SOI MEMS加工方法，其特征在于最后得到MEMS器件具有如下特征：硅结构层（2）包括浓硼掺杂的可动结构；绝缘层（3）上位于可动结构下的部分被去除；硅衬底层（4）上位于可动结构下的未被绝缘层（3）保护的部分硅利用各向异性刻蚀被去除。
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