[发明专利]发光二极管电性接触结构无效
| 申请号： | 201210109485.9 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378251A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 曾炜竣;颜伟昱;陈复邦;张智松 | 申请（专利权）人： | 联胜光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种发光二极管电性接触结构，应用于一发光二极管结构，其包含一N型金属电极层与一氮化物中间层，该发光二极管结构包含堆迭形成三明治结构的一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层，其中该氮化物中间层图案化的形成于该N型半导体层上，该N型金属电极层形成于该氮化物中间层上，以藉由该氮化物中间层形成阻绝介面，可避免该N型半导体层受到金属离子扩散的破坏而保持电性稳定，且该氮化物中间层不会因长时间高温而软化凝结，可增加附着力，进而避免N型金属电极层有剥离现象，据而可增加发光二极管的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管电性接触结构，应用于一发光二极管结构，该发光二极管结构包含堆迭形成三明治结构的一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层，其特征在于，包含：一氮化物中间层，该氮化物中间层图案化的形成于该N型半导体层上；以及一N型金属电极层，该N型金属电极层形成于该氮化物中间层上。
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