[发明专利]发光二极管电性接触结构无效
| 申请号： | 201210109485.9 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378251A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 曾炜竣;颜伟昱;陈复邦;张智松 | 申请（专利权）人： | 联胜光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 接触 结构 | ||
1.一种发光二极管电性接触结构，应用于一发光二极管结构，该发光二极管结构包含堆迭形成三明治结构的一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层，其特征在于，包含：
一氮化物中间层，该氮化物中间层图案化的形成于该N型半导体层上；以及
一N型金属电极层，该N型金属电极层形成于该氮化物中间层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管电性接触结构，其特征在于，该氮化物中间层为选自氮化铝、氮化钛与氮化铬所组成的群组。
3.根据权利要求2所述的发光二极管电性接触结构，其特征在于，氮化铝的氮、铝的组成比为X∶1-X，且X介于0.05～0.15之间，氮化钛的氮、钛的组成比为X∶1-X，且X介于0.05～0.15之间，氮化铬的氮、铬的组成比为X∶1-X，且X介于0.05～0.15之间。
4.根据权利要求2所述的发光二极管电性接触结构，其特征在于，该氮化物中间层的厚度为10纳米～500纳米。
5.根据权利要求1所述的发光二极管电性接触结构，其特征在于，该N型金属电极层为选自铝、钛、镍、铬、铂与金所组成的群组。
6.根据权利要求5所述的发光二极管电性接触结构，其特征在于，该N型金属电极层的厚度为大于1微米。
7.根据权利要求5所述的发光二极管电性接触结构，其特征在于，该N型金属电极层具有至少二种材料交错迭置而成。
8.根据权利要求1所述的发光二极管电性接触结构，其特征在于，该N型半导体层具有一不规则表面，且该氮化物中间层与该N型金属电极层形成于该不规则表面上。
9.根据权利要求8所述的发光二极管电性接触结构，其特征在于，该不规则表面为连续锯齿状。
10.根据权利要求9所述的发光二极管电性接触结构，其特征在于，该不规则表面相邻峰顶的距离大于500纳米。
11.根据权利要求1所述的发光二极管电性接触结构，其特征在于，该N型半导体层于不具有该氮化物中间层的区域具有一不规则表面。
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