[发明专利]一种表面等离子体超分辨干法光刻方法有效
| 申请号： | 201210107638.6 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102636965A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;赵泽宇;王长涛;冯沁;王彦钦;刘利芹;陶兴;胡承刚;黄成;杨磊磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;顾炜 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面等离子体超分辨干法光刻方法，其步骤为：1)清洗基片；2)在基片上镀一层无机光刻胶TeOx；3)于TeOx膜层上镀一层金属薄膜；4)如此反复镀若干周期，最后一层为无机光刻胶；5)将多层膜置于一定图形的掩模板下进行曝光；6)曝光后的多层膜进行干法显影；7)去除残余的Ag层，制作完成。本发明利用干法对无机光刻胶进行显影，能得到边缘规则、陡直的图形，克服了传统有机光刻胶所存在的溶剂膨胀效应导致的图形边缘不规则，及后烘容易带来图形线条坍塌等问题；此外，金属层可以放大倏矢波的传播，降低在曝光过程中光的衍射效应。因此，可实现对SP光刻图形质量的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 等离子体 分辨 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种表面等离子体超分辨干法光刻方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤(1)选择抛光较好的基片，将其放于清洗液中煮沸30min，再分别用水、乙醇、丙酮进行超声清洗，最后于烘箱中烘干；步骤(2)在洁净的基片上，先用磁控反应溅射镀一层厚20nm无机光刻胶TeOx；步骤(3)再于TeOx膜层上镀一层厚20nm的金属层；步骤(4)反复镀TeOx/金属多层膜，最后一层为TeOx；步骤(5)在Cr掩模板下，对多层膜进行曝光；步骤(6)用IBE对曝光后的多层膜进行刻蚀；步骤(7)去除残余的Ag层，图形制作完成。
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