[发明专利]一种表面等离子体超分辨干法光刻方法

权利要求书

1.一种表面等离子体超分辨干法光刻方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

步骤(1)选择抛光较好的基片，将其放于清洗液中煮沸30min，再分别用水、乙醇、丙酮进行超声清洗，最后于烘箱中烘干；

步骤(2)在洁净的基片上，先用磁控反应溅射镀一层厚20nm无机光刻胶TeO_x；

步骤(3)再于TeO_x膜层上镀一层厚20nm的金属层；

步骤(4)反复镀TeO_x/金属多层膜，最后一层为TeO_x；

步骤(5)在Cr掩模板下，对多层膜进行曝光；

步骤(6)用IBE对曝光后的多层膜进行刻蚀；

步骤(7)去除残余的Ag层，图形制作完成。

2.根据权利要求1所述的表面等离子体超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步骤(1)中的基片可以是硅片或玻片，清洗液可以为1∶3的H₂O₂与浓H₂SO₄，烘箱温度100～150℃。

3.根据权利要求1所述的表面等离子体超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步骤(2)中的磁控反应溅射电源为射频，无机光刻胶TeOx中x值的要求是：0＜x＜2。

4.根据权利要求1所述的表面等离子体超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步骤(3)中的金属层可以是Ag或Au，使用直流磁控溅射镀膜。

5.根据权利要求1所述的表面等离子体超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步骤(4)多层膜的层数由实际干法显影中的刻蚀选择比决定。

6.根据权利要求1所述的表面等离子体超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步骤(5)中的曝光要选择激光束斑小于1μm，强度约20mW/cm²的纳秒脉冲激光。

7.根据权利要求1所述的表面等离子体超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步骤(6)中的IBE刻蚀深度由电镜结果来判断。

8.根据权利要求1所述的表面等离子体超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步骤(7)可以用王水或去铬液来去除残余的Ag。