[发明专利]一种小电极结构阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210107418.3 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102664235A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;毛俊;黄如;谭胜虎;黄英龙;潘越 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种小电极结构阻变存储器及其制备方法，属于超大集成规模中半导体阻变存储器领域。本发明的阻变存储器包括Al电极层、SiO2层、Si层，阻变层和下电极层；其中，Al电极层与阻变层通过一个或多个导电通道电连接，所述导电通道为Al经SiO2层缺陷渗入到Si层而使Si溶解于Al形成的。本方法为：首先在沉底上依次制备一下电极层、一阻变层、一Si层、一SiO2层；然后在所述SiO2层上制备一Al电极层；最后对上述所得结构进行退火处理。本方法使用常规的技术工艺成本，就可以得到很小的实际电极，降低了成本，优化了器件，用较低的代价实现更小的实际电极面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 结构 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种小电极结构阻变存储器，其特征在于依次包括Al电极层、SiO2层、Si层，阻变层和下电极层；其中，Al电极层与阻变层通过一个或多个导电通道电连接，所述导电通道为Al经SiO2层缺陷渗入到Si层而使Si溶解于Al形成的。
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