[发明专利]覆晶接合方法无效
| 申请号： | 201210107369.3 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103094139A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 程吕义;邱启新;邱世冠 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种覆晶接合方法，将一芯片通过多个凸块以覆晶方式接置于一基板上，令部份的凸块仅接置于该基板或芯片上，再以一对象抵靠并施加压力于该芯片，从而使该部分仅接置于该基板或芯片上的凸块同时接触该基板及芯片，然后，回焊所述多个凸块，使所述多个凸块皆连接基板与芯片，以提升覆晶接合良率。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 方法 | ||
【主权项】：
一种覆晶接合方法，包括：提供一其上设有芯片的基板，其中，该芯片具有相对的作用面与非作用面，该作用面上并形成有多个凸块，以在该芯片接置于该基板上后，所述多个凸块位于该芯片与基板之间，并通过电性连接该芯片与基板，且部分的凸块仅接置于芯片上；将一对象抵靠至该芯片的非作用面，以施加压力于该芯片，使仅接置于该芯片上的凸块同时接触该基板及芯片；以及回焊所述多个凸块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
