[发明专利]覆晶接合方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种覆晶接合方法，更详言之，本发明为一种将芯片以覆晶方式接合至基板上的方法。

背景技术

现今半导体技术愈来愈成熟，工艺的方式日新月异，相对的对于电子产品的尺寸的要求趋于轻薄短小，因此在芯片制造过程中的打线技术，其内部的各导电线的间距逐步缩短，造成芯片上的各焊垫(I/Opad)的间距更加接近，且因为工艺技术先进，将不同功能的组件整合至同一芯片中，芯片的积集度大幅提升，芯片上焊垫数也相对增加。传统的芯片封装技术为将芯片的焊垫经由焊线焊接到基板上，但如此高集成度的芯片焊垫及焊线的数量已然导致能使用的空间所限，而成为工艺上的瓶颈。因此，遂有不同于打线技术的覆晶技术的发展。覆晶技术大致上是在晶圆上形成多个如焊球的凸块，接着将切割晶圆以形成多个芯片后再将芯片翻转(flip)接置到基板，使凸块能对应接合于基板的焊垫上，然后回焊(reflow)该凸块，以使焊球焊结至基板上的焊垫。

然而，在回焊工艺中，因芯片与基板的热膨胀系数(Coefficient of thermal expansion；CTE)有差异，造成基板与芯片受热膨胀而翘曲的程度亦不同。通常，当芯片面积较大或厚度较薄时，芯片与基板翘曲程度的差异会更加明显，而基板越靠近边缘的部位的翘曲程度最为明显。

如图1所示，芯片10通过其底部的多个凸块14接置于该基板12的顶面122上。回焊工艺中，芯片10与基板12因膨胀系数(CTE)不同，导致该芯片10与基板12靠近边缘的部位会产生翘曲，造成该芯片10底部的部分凸块14无法焊结至基板12上的焊垫，致位在该芯片10近边缘部位的部分凸块14形成空焊的现象，而产生焊接失败或假焊等焊接不完全的问题，产品的不良率亦随之增加。

因而，如何克服上述现有技术所有在的问题，实为一重要课题。

发明内容

为解决上述现有技术的问题，本发明遂研发出一种提升覆晶接合良率的方法。

本发明的实施方法包括：提供一其上设有芯片的基板，其中，该芯片具有相对的作用面与非作用面，该作用面上并形成有多个凸块，以在该芯片接置于该基板上后，所述多个凸块位于该芯片与基板之间，并通过电性连接该芯片与基板，但部分的凸块仅接置于芯片上，然后，将对象抵靠在芯片的非作用面上，予以施压于该芯片，使仅接置于该芯片上的凸块同时接触该芯片与基板，并利用回焊于所述多个凸块，使得所述多个凸块皆连接基板与芯片。

此外，本发明另一种实施方法包括：提供一其上设有芯片的基板，该芯片的底面通过多个凸块设于该基板上，且部分的凸块仅接置于该基板或芯片上，接着通过对象抵靠并施加压力于该芯片顶面上，使仅接置于该基板或芯片上的凸块同时接触该基板及芯片，以回焊所述多个凸块，使所述多个凸块皆连接基板与芯片。

由上可知，本发明将该对象抵靠芯片顶面，以施加压力，避免该芯片因面积较大或厚度较薄时，在回焊工艺中产生翘曲，使得芯片周围的凸块发生空焊的情况。而该芯片的翘曲部分于通过该对象给予压力，使得翘曲部分趋于平整，通过该凸块与芯片及基板相互连触，再做回焊处理，以解决凸块空焊的现象。

因此，本发明的覆晶接合良率的方法，不仅能应用于轻薄或大尺寸的晶圆，并提高覆晶接合良率。

附图说明

图1用以说明覆晶工艺中发生空焊的示意图；

图2A至2D为本发明第一实施例的覆晶接合方法示意图，其中，图2A’是在基板上预先形成有凸块的示意图，图2B’显示部分的凸块仅接置于该基板上的示意图；以及

图3A至3D为本发明第二实施例的覆晶接合方法示意图。

主要组件符号说明

10、10’        芯片

102、102’      底面

104、104’、122 顶面

12、12’        基板

14              凸块

140             刚性结构

16              对象

162             增重件

18              隔热材

19              隔离片

H               热源。

具体实施方式

以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。