[发明专利]一种肖特基沟槽MOS半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210106399.2 | 申请日： | 2012-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103367435A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省新宾*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提出一种肖特基沟槽MOS半导体装置，将肖特基引入到MOS半导体装置中，本发明的半导体装置是制造功率MOSFET器件的基础结构，本发明还提出一种肖特基沟槽MOS半导体装置的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 沟槽 mos 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基沟槽MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽内壁有绝缘层，同时，沟槽内填充有多晶半导体材料；体区，为第二传导类型的半导体材料，临靠沟槽和半导体装置表面，体区之间为第一传导类型的半导体材料，与漂移层相连；肖特基势垒结，位于体区之间的第一传导类型的半导体材料表面；源区，为第一传导类型的半导体材料，临靠沟槽和半导体装置表面，同时，源区底部和侧壁被体区包裹。
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